主要技术指标
检测功能
单结电池
真实J-V, Suns-PL(Pseudo J-V),Vo,Js, MPP, PL/TRPL
PL强度/寿命,iVoc,PCE,FF,RS,PLQE,QFLS,光电压/电流等成像
叠层电池
叠层电池真实J-V,子电池Suns-PL,Pseudo J-V,Voc,Jsc,MPP,PL/TRPL,EL
PL光谱/强度/寿命成像,iVoc,PCE,FF,RSH,PLQE, OFLS 成像
光源配置(1)
波长
LED面光源
450 nm,532nm,850nm,900 nm(标配450和850 nm)
激光光源
405 nm,450 nm,532nm,780 nm,808 nm, 850 nm
光学强度动态范围
0.01-1.5 suns
兼容样品
尺寸
≤2x2 cm2
类型
硅/钙钛矿/硅-钙钛矿叠层电池及薄膜样品
其他参数
光谱分辨率
0.14 nm @ 300 mm 焦长单色仪,@1200 g/mm光栅, @CCD像元尺寸 25 μm
单张光谱采集时间
5 ms (Min.)
空间分辨率
宽场成像
a.高分辨模式1.5 μm/pixel, 成像面积<7 mm2
b.常规分辨模式8 μm/pixel, 成像面积<80 mm2
c.用于PL/EL强度、iVoc,PCE,FF,Rs、Rs 等成像
激光共聚焦扫描成像
a.最高260 nm空间分辨率(100x油镜)
b.物镜:5x,10x,20x,40x,50x,60x,100x 空气/油镜
c.用于PL光谱成像、PLOE、OFLS成像
TCSPC模块
IRF
≤230 ps
光谱范围
185-870 nm
375,405nm 皮秒激光器
注:1.光源尺寸、波长、功率可定制,LED面光源支持同时集成3种光源
应用实例
· 高分辨率 QFLS 和 PLOE 成像
· 高分辨率荧光强度/寿命成像
· 光电流成像
· 电致发光(EL)强度成像
· 调控激发光功率密度测试赝 J-∨ 成像
· 调控负载测试赝 J-∨ 成像
· OFLS- 光学 J-V 成像
· 硅/钙钛矿叠层电池 PL 强度成像
· 硅/钙钛矿叠层电池赝 J-V 测试