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SiC衬底位错缺陷检测专用设备
光学非接触无损检测
BPD、TSD、TED分类识别
SiC衬底:4'/6'/8';导电、半绝缘
最高检测速度:<17 min/片(6") SiC晶圆少子寿命质量成像监测系统 晶圆衬底质量(载流子寿命)高速成像
快速筛查外延片晶格质量
高时空分辨率
多激发波长可切换
全自动送样测试 钙钛矿太阳能电池综合性能分析系统 兼容各种 电池尺寸10 cm*10 cm,30 cm*30 cm
集成多种检测手段
明场成像/光致发光成像/电致发光成像/光电压(电流)成像
快速高精度的人工智能缺陷识别成像
检测时间<30s(10 cm*10 cm),空间分辨率10 μm
光电压(电流)成像指标
检测时间<10 min(10 cm*10 cm) 空间分辨率20 μm/100 μm 检测晶圆尺寸:4’
测量uLED类型:RGB
明场/PL检测类型:明场缺陷分析、电极缺陷分析、PL缺陷分析
EL电学检测项目:V-I曲线、R1/IR2/IR3、VF1/VF2/F3
EL色度学检测项目:Cx、Cy、WLD、EQE
PL/AOI检测速度:10 min/pcs(4’)
EL检测速度:1.5 s/die to die Micro LED晶圆级综合检测分析系统 |